SEMICON China大会在上海成功召开，大会聚焦：1）AI算力拉动行业需求爆发，国内产能扩张与先进封装稳步推进；2）国产设备厂商新品推出，平台化布局日益完善，先进制程及先进封装设备工艺创新加速。建议关注半导体设备、材料、零部件等新品发布及中长期平台化进展，维持行业投资评级为“**”。
AI加速半导体万亿时代落地，国内晶圆扩产与先进封装共迎机遇。在AI算力以及全球数字化经济驱动下，原定于2030年达到的万亿美金半导体时代有望于2026年底提前到来。存储是AI基础设施核心战略资源，目前HBM产能缺口仍达50%至60%，随着2nm及以下制程逼近物理极限，先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级，当前先进封装已演进至原子级的精度革命阶段，以AI驱动的EDA工具预计将大幅提升设计生产力并有效缩短设计周期。全球晶圆厂正加速扩张，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，中国独占47座。设备投资方面，中国大陆自2020年起已连续六年保持全球之一设备市场规模，2027年市场份额有望接近30%.
头部设备厂商持续深化平台化布局，多类核心工艺新品集中亮相。1）北方华创：推出了TSV电镀设备Ausip T830、12英寸D2W混合键合设备Qomola HPD30、12英寸W2W混合键合设备Gluoner R50、12英寸高端电感耦合ICP刻蚀设备NMC612H等多款新产品。2）中微公司：推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova、高选择性刻蚀机Primo Domingo、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力。3）拓荆科技：公司在展会上发布四大系列新品，包括ALD系列新品VS-300T Astra-s SiN和PF-300T Altair TiN、PECVD设备PF-300L Plus nX、Gap-fill系列产品NF-300M Supra-H ACHM-VI，以及涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品的3D IC系列新品。4）华海清科：公司展会前夕发布多款产品并携多款新品在展会现场集中呈现，具体包括12英寸/8英寸CMP装备、面板化学机械抛光装备Master-P510APEX、iPUMA-HP12英寸氢离子大束流离子注入机及Versatile-GP300磨划装备。5）晶盛机电：公司针对先进封装领域的痛点需求，推出了专为半导体3D集成和先进封装设计的12寸W2W高精密键合设备，以及SOI键合、皮秒激光开槽设备等行业技术领先的创新产品。6）先导基电：旗下凯世通发布Hyperion先进制程大束流、iKing 360中束流两大离子注入机新品。7）盛美上海：公司首发“盛美芯盘八大行星”全系列产品，含清洗、电镀、封装等八大品类，展出Ultra C Tahoe单片槽式组合清洗、Ultra ECP ap-p水平式面板电镀等核心新品。
投资建议。SEMICON大会展现国内半导体设备技术实力，国内先进制程设备持续推进，同时龙头公司先进封装设备设备不断被亮相，建议关注受益于平台化布局或技术产品创新加速的****、****、****、****、***、****、****、****、****、***、****、*****等的设备厂商；受益于涨价或拓品的****、****、****、****、****、****、****、****、****、****、****等材料厂商；受益于半导体零部件国产替代的****、****、****、****、****、****、****等零部件厂商
风险提示：1）下游晶圆厂扩产不及预期的风险；2）半导体行业景气度下滑的风险；3）国产设备厂商竞争加剧的风险；4）国产设备和零部件厂商研发进展不及预期的风险等。
1、AI算力拉动行业需求爆发，国内产能扩张与先进封装稳步推进
AI算力加速半导体万亿市场提前落地，2026年聚焦算力、存储与先进封装三大趋势。SEMI中国总裁冯莉指出，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年达到的万亿美金半导体时代有望于2026年底提前到来，2026年半导体产业将呈现三大趋势。之一个趋势为AI算力，2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速 *** 芯片的强劲需求，并最终转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。第二个趋势为存储革命，存储是AI基础设施核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体之一增长极，2026年HBM市场规模将增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求攀升导致供需失衡，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍达50%至60%。第三个趋势为技术驱动产业升级，随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍，先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。
国内晶圆厂扩产稳步推进，产能份额及设备投资规模持续提升。产能布局方面，SEMI数据显示，全球半导体产能将从2020年的2510万片增至2030年的4450万片，中国晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。2028年全球将新建108座晶圆厂，其中亚洲占84座，中国独占47座，超过亚洲新增产能的一半。在22至40纳米主流制程节点，中国产能占比将从2024年的25%提升至2028年的42%。设备投资方面，中国大陆自2020年起已连续六年保持全球之一设备市场规模，2027年市场份额有望接近30%。
Comet董事会主席及SEMI全球董事会副主席Benjamin Loh指出，全球半导体器件市场将迎来超预期增长，2025至2030年间，市场预计将以13%的年复合增长率扩张。AI将成为核心驱动力，到2030年，AI相关应用将占整个半导体市场规模的54%，推动数据中心电力需求激增。行业同时面临多重不确定性，比如能源与PFAS危机、地缘政治影响、全球供应链、人才短缺以及先进封装等新技术节点演进，为应对这些挑战，全球晶圆厂正加速扩张。
长电科技首席执行长郑力指出，当前先进封装已演进至原子级的精度革命阶段，推动集成电路产业迎来从追求晶体管数量向追求系统结构质量的范式升级。原子级封装带来了对准精度、互连密度、表面粗糙度以及界面间隙四个维度的精度跃升，真正实现了芯片的系统级制造。同时，原子级先进封装与AI技术实现了双向赋能，AI工具既是芯片制造的必选项，原子级封装技术也为AI系统能力的扩展提供支撑。
AMD副总裁及企业战略与合作部负责人Mario Morales指出，当前AI正处在“Yottaflop时代”的转折点，AI使用的快速普及推动算力需求呈指数级攀升，但仍受电力约束，因此半导体企业需布局低功耗芯片。在技术趋势上，AI模型正向更智能、更开放的方向演进。推理成本逐年快速下降，推动推理需求加速释放，资本支出预测将随需求预期而持续上调。目前AI正由训练阶段转向推理阶段，推动AI在更多终端设备和企业的应用，其中AI在编程领域已展现出巨大潜力。展望未来，物理AI有望在未来十年成为重要的增长驱动力，先进封装、存储（含HBM）和供应链管理领域也将成为重要增长点。
沐曦股份高级副总裁及首席产品官孙国梁指出，全球已迈入算力时代。第三方数据显示，以OpenClaw为代表的智能体应用，单日平均Token消耗量较聊天机器人呈现显著增长，推动推理环节需求爆发式增长。人工智能革命的本质体现为智力层面的革命，驱动整体产业发展模式由传统的“+AI”向“AI+”转变。
西门子EDA IC产品事业部执行副总裁Ankur Gupta指出AI普及、软件定义一切、异构集成以及可持续发展四大力量正对行业产生深远影响。当前芯片设计正面临工艺复杂度提升、设计成本飙升、验证瓶颈凸显及人才缺口等多重挑战。以AI驱动的EDA工具预计将大幅提升设计生产力并有效缩短设计周期，其具体实现路径主要包括提升工程师效率、加速引擎以及提供设计智力三个维度。
2、国产设备新品持续推出，细分工艺创新加速
国产设备厂商新品加速推出，平台化布局日益完善，细分工艺创新加速。
1）北方华创：SEMICON China2026期间，北方华创发布公告，推出了多款新产品。
TSV电镀设备——Ausip T830，主要应用于2.5D/3D先进封装领域，能够有效填充孔直径2-12微米，孔深16-120微米的多种孔型产品。Ausip T830自动调节的洗边控制技术可将洗边宽度精度控制在±0.15mm范围内；对镀液各组分浓度波动控制在±2%；此外成功攻克了＞20:1等高深宽比结构的无空洞填充难题，片内均匀性稳定控制在1%以内。其搭载的自研AI-NEXUS系统是一套覆盖数据分析与仿真、工艺优化与生产调度的全智能技术体系，通过将AI融合设备实现从“自动化执行”到“自适应智造”的跨越、通过全流程智能化实现高性能、高良率、低运营成本。
12英寸芯片对晶圆（Die to wafer，D2W）混合键合设备——Qomola HPD30。该设备针对SoC、HBM、Chiplet等3D集成全领域应用对芯片互连的极限需求，突破了微米级超薄芯片无损拾取、纳米级超高精度对准、无空洞高质量稳定键合等关键工艺瓶颈，攻克了高速多轴联动控制、纳米级图像识别、全局坐标精准定位、多规格芯片自适应、AI实时感知与智能补偿等多项核心技术。北方华创目前是国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商。
12英寸W2W混合键合设备——Gluoner R50。其聚焦CIS、3D NAND、3D DRAM等核心应用，集成纳米级全域对准、精细的界面活化处理、键合波控制及大翘曲晶圆自适应等关键技术，可实现更高对准精度、更高质量的混合键合。
12英寸高端电感耦合ICP刻蚀设备——NMC612H。北方华创全新一代12英寸NMC612H ICP刻蚀设备聚焦先进逻辑与先进存储领域关键刻蚀工艺需求，攻克了精准偏压控制、射频多态脉冲控制、超高速通讯 *** 控制等核心技术，配备全国产超百区独立控温静电卡盘及自研温控算法、原位原子层沉积模块，还创新搭载AI+RDF工艺配方优化及大数据分析平台；NMC612H核心性能表现突出，实现了电子伏特量级、窄能量分布的离子入射能量和方向精确控制，超百区静电卡盘温度均匀性控制优于0.3°C，射频匹配时间从秒级降至毫秒级，能在ICP平台实现小尺寸开口下数百比一的高深宽比刻蚀，将Patterning刻蚀CD均匀性控制在1个硅原子直径的埃米级范围，可同腔室内任意交替使用ALD沉积和刻蚀工艺，实现了刻蚀形貌的单原子层级精确控制。
2）中微公司：SEMICON China 2026期间，中微公司宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova、高选择性刻蚀机Primo Domingo、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力。
新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备——Primo Angnova是应对芯片5nm以下节点及先进存储芯片对高深宽比刻蚀的解决方案。其采用中心抽气设计，搭配业界领先的对称气流控制阀、高流导和高速分子泵系统，可实现高反应气体通量并大幅扩展反应腔体压力控制范围；设备集成自研第二代LCC射频线圈、直流磁场辅助线圈MFTR，配备先进四段脉冲控制，能高精度独立控制离子浓度和离子能量，其搭载的超低频射频等离子体源可产生极高离子能量，显著强化高深宽比ICP刻蚀工艺处理能力；温度控制上采用200区以上独立温控的Durga III ESC静电吸盘，结合晶圆边缘连续AEIT设计实现优异片内刻蚀均匀性，系统集成方面搭载成熟的 Primo C6V3 传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个LL Strip除胶腔体，有效降低综合运行成本。
Primo Domingo高选择性刻蚀设备主要针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求。其采用全对称腔体结构与优化流场设计，系统整合气体注入、温度控制、压力调控等关键环节，保障晶圆表面刻蚀的高度均匀性与工艺重复性；拥有独特集成气柜设计，可缩短气体注入距离并实现更快脉冲气体精密控制，设备内部配备高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，适配高活性刻蚀气体以保障长期可靠运行，同时搭载双制冷/双加热晶圆基座，支持宽范围精准温控，进一步提升刻蚀工艺的均匀性与稳定性；该设备同样搭载量产的 Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔以满足不同刻蚀应用需求。
Smart RF Match智能射频匹配器是高端半导体刻蚀设备关键子系统的创新突破，适配半导体前道介质、硅、金属刻蚀及先进封装、MEMS、化合物半导体等精密刻蚀应用，其首创半导体设备领域射频回路专网概念，通过EtherCAT实现射频电源与匹配器间状态信息的实时精准传输，让匹配器可主动向射频电源下发控制指令；该产品能实现微秒级射频环境响应，实时自动调节阻抗以保障射频能量高效稳定传输，还可根据工艺条件自动选择切换电源频率调节范围与匹配调节模式，匹配速度较传统匹配器快百倍以上，在客户端高端逻辑工艺测试中，其将射频信号匹配速度提升225%、助力整体刻蚀效率提高15%，能有效提升设备单位产能与工艺一致性。
中微公司Preciomo Udx MOCVD设备是专为Micro LED量产设计的核心设备，针对其高波长均匀性与低颗粒度的严苛要求，在气体输运、加热模式、温场控制等关键技术上突破现有垂直气流MOCVD技术路线，搭载自主知识产权的水平式双旋转反应室结构，经温场与流场仿真设计及硬件、工艺优化实现了波长均匀性的显著提升；该设备最多可配置两个独立控制的反应腔，兼具高生产灵活性，可同时加工18片6英寸或12片8英寸高性能氮化镓蓝绿光Micro LED外延片，还配备符合集成电路行业标准的EFEM和 *** IF系统，实现片盒到片盒的全自动化传输，能有效降低Micro LED外延片颗粒数。
3）拓荆科技：公司在展会上发布四大系列新品。①公司本次发布了两款ALD系列新品VS-300T Astra-s SiN和PF-300T Altair TiN，性能先进，同时满足高产能需求并具有优异的坪效比和CoO；②公司PECVD设备装机量及工艺覆盖率均达到国内之一，实现PECVD工艺全覆盖，2026年推出了PF-300L Plus nX，应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度；③本次发布的Gap-fill系列产品NF-300M Supra-H ACHM-VI，是一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰，刻蚀阻挡层及图形平坦化处理的设备，并拥有业界坪效比更高和成本（CoO）更低的优异表现；④3D IC系列新品涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。Pleione 300 HS芯片对晶圆熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，能实现自动更换拾取与键合模组，产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX新一代晶圆激光剥离设备，应用于先进逻辑（BSPDN）和先进存储（VCT）背面工艺，是无金属污染、低应力、无热影响的设备与工艺的完整解决方案。全球首创的Volans 300键合空洞修复设备，解决键合界面空洞修复难题，提高3D IC产品良率和产线稳定。
4）华海清科：公司展会前夕发布多款产品并携多款新品在展会现场集中呈现。①CMP装备：公司国内市占率领先，12英寸CMP装备Universal-S300采用叠层布局架构，空间利用率与产能优势显著，可支撑先进制程与先进封装、Universal-300FS在先进制程产线验证中表现出高效、稳定、高良品率特性；8英寸CMP装备新品Universal-200、Universal-200 Smart；面板化学机械抛光装备Master-P510APEX采用双面抛光配置，边缘抛光机具备高精度边缘处理能力。②离子注入：公司iPUMA-HP12英寸氢离子大束流离子注入机，新一代产品置换率达国际先进水平，兼具高稳定性与高工艺匹配度，可保障先进制程的均匀性与精准度，正加速规模化应用。③磨划装备：面向3D IC与先进封装提供成套解决方案，Versatile-GP300提升减薄精度与工艺稳定性，攻克复杂翘曲晶圆传输、跨洁净等级清洗等难题，晶圆整体厚度偏差及极限减薄能力达国际先进水平。
5）晶盛机电：公司针对先进封装领域的痛点需求，重磅推出了行业技术领先的创新产品——专为半导体3D集成和先进封装设计的12寸W2W高精密键合设备，在 *** 全流程模块的同时，具有高对准精度、高产能等优良特性。同步推出的SOI键合、皮秒激光开槽设备，能够满足高端晶圆制造加工需求，进一步加速了设备的国产化进程。
6）先导基电：旗下凯世通发布Hyperion先进制程大束流、iKing 360中束流两大离子注入机新品。Hyperion搭载全自主核心模块，性能对标进口主流设备，攻克低能超浅结注入等四大行业挑战，适配先进逻辑、存储芯片制造；iKing 360实现30%以上产能提升，精准调控离子束平行度与发散角，满足先进工艺角度重复性严苛标准，支持高低温注入，适配6/8英寸碳化硅工艺，可覆盖部分高能机工艺。
7）盛美上海：公司首发“盛美芯盘八大行星”全系列产品，含清洗、电镀、封装等八大品类，展出Ultra C Tahoe单片槽式组合清洗、Ultra ECP ap-p水平式面板电镀等核心新品。搭载单片SPM喷嘴清洗、超临界二氧化碳三维清洗干燥等原创技术，清洗设备覆盖芯片制造95%工艺步骤，电镀设备实现技术全覆盖，多阳极电镀技术达国际竞争力，精准适配三维芯片集成、面板级先进封装需求。
3、投资建议
SEMICON大会展现国内半导体设备技术实力，国内先进制程设备持续推进，同时龙头公司先进封装设备设备不断被亮相，建议关注受益于平台化布局或技术产品创新加速的****、****、****、****、***、****、****、****、****、***、****、*****等的设备厂商；受益于涨价或拓品的****、****、****、****、****、****、****、****、****、****、****等材料厂商；受益于半导体零部件国产替代的****、****、****、****、****、****、****等零部件厂商。
团队介绍
鄢凡：北京大学信息管理、经济学双学士，光华管理学院硕士，18年证券从业经验，08-11年中信证券，11年加入招商证券，现任研发中心董事总经理、电子行业首席分析师、TMT及中小盘大组主管。
团队成员：程鑫、谌薇、涂锟山、赵琳、研究助理（王焱仟）。
团队荣誉：11/12/14/15/16/17/19/20/21/22年《新财富》电子行业更佳分析师第2/5/2/2/4/3/3/4/3/5名，11/12/14/15/16/17/18/19/20年《水晶球》电子2/4/1/2/3/3/2/3/3名，10/14/15/16/17/18/19/20年《金牛奖》TMT/电子第1/2/3/3/3/3/2/2/1名，2018/2019 年更具价值金牛分析师。
投资评级定义
股票评级
以报告日起6个月内，公司股价相对同期市场基准（沪深300指数）的表现为标准：
强烈推荐：公司股价涨幅超基准指数20%以上
增持：公司股价涨幅超基准指数5-20%之间
中性：公司股价变动幅度相对基准指数介于±5%之间
回避：公司股价表现弱于基准指数5%以上
行业评级
以报告日起6个月内，行业指数相对于同期市场基准（沪深300指数）的表现为标准：
推荐：行业基本面向好，行业指数将跑赢基准指数
中性：行业基本面稳定，行业指数跟随基准指数
回避：行业基本面向淡，行业指数将跑输基准指数
重要声明
特别提示
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