机构上修存储价格,料DRAM 季涨 90-95%;科创芯片设计ETF易方达(589030)近10日“吸金”超2亿

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截至10:00,上证科创板芯片设计主题指数(950162)跌3.1%,权重股多数调整,澜起科技跌超7%,龙芯中科跌超5%,寒武纪、佰维存储跌超4%。截至2月3日,该指数近一年上涨88.92%。

科创芯片设计ETF易方达(589030)近5日“吸金”超1.7亿,近10日“吸金”超2亿元。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业调查,2026年之一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,TrendForce集邦咨询据此全面上修之一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度,预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%,改为上涨90-95%,NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%,并且不排除仍有进一步上修空间。

东方证券发布研报称,海外存储巨头SK海力士与闪迪业绩强劲,且下季指引乐观,印证存储行业供不应求。AI推理需求正成为存储增长核心动力,将持续拉动数据中心对DRAM和NAND的需求。同时,NOR Flash等利基存储因产能被主流产品挤压,供给大幅收缩,预计紧缺与涨价态势将延续,国内相关厂商有望受益。

科创芯片设计ETF易方达(589030)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,该指数覆盖芯片设计、制造、封测、设备等产业链各环节,反映半导体产业整体发展趋势,数字芯片设计和模拟芯片设计为前两大权重行业,合计占比高达94.1%。

易方达基金是国内领先的综合性资产管理机构,20余年指数投资专业沉淀。指数产品线全面布局主流宽基指数,涉及多个行业指数,覆盖跨境、跨市场指数,触达全球10余个交易所。专业指数投研团队,具备丰富的产品设计、投资管理经验。

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